シグマアルドリッチ構造式カタログ

2024-06-02 22:23 1

「単結晶基板・ウエハ・ターゲット」の検索結果

42件の製品が見つかりました。

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×カテゴリ単結晶基板・ウエハ・ターゲット

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カタログ番号	製品名	元素	形状	サイズ	純度
647675	Silicon, wafer (single side polished), <100>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, シリコンウエハ, 無機材料 (金属・セラミックス), 金属, Silicon	Si	ウエハ
647772	Silicon, wafer (single side polished), <111>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, シリコンウエハ	Si	ウエハ
646687	Silicon, wafer (single side polished), <100>, N-type, contains no dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, シリコンウエハ	Si	ウエハ
647705	Silicon, wafer, <111>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.3 mm カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, シリコンウエハ, 無機材料 (金属・セラミックス), 金属, Silicon	Si	ウエハ
647802	Silicon, wafer (single side polished), <100>, N-type, contains phosphorus as dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, シリコンウエハ	Si	ウエハ
647101	Silicon, wafer (single side polished), <111>, N-type, contains no dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, シリコンウエハ	Si	ウエハ
643262	Gold coated silicon wafer, 99.999% (Au), layer thickness 1000 Å, 99.99% (Ti) カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, シリコンウエハ, 金コーティング基板	Au	ウエハ		99.999% (Au)
647780	Silicon, wafer (single side polished), <100>, N-type, contains phosphorus as dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, シリコンウエハ, 無機材料 (金属・セラミックス), 金属, Silicon	Si	ウエハ
647535	Silicon, wafer (single side polished), <100>, N-type, contains no dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, シリコンウエハ	Si	ウエハ
647799	Silicon, wafer (single side polished), contains phosphorus as dopant, <111>, N-type, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, シリコンウエハ, 無機材料 (金属・セラミックス), 金属, Silicon	Si	ウエハ
647543	Silicon, wafer (single side polished), <111>, N-type, contains no dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, シリコンウエハ	Si	ウエハ
647764	Silicon, wafer (single side polished), <100>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, シリコンウエハ	Si	ウエハ
GF67398115	Alumina, sputtering target, thickness 3.15 mm, diameter 50 mm, purity 99.5% カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, スパッタリングターゲット	Al	スパッタリングターゲット	thickness 3.15mm, diameter 50mm	99.5%
GF24763866	Alumina, sputtering target, thickness 3.15 mm, 62 mm diameter, purity 99.5% カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, スパッタリングターゲット	Al	スパッタリングターゲット	thickness 3.15mm, 62mm diameter	99.5%
773972	Yttrium sputtering target, diam. × thickness 2.00 in. × 0.25 in., 99.9% trace metals basis キャンペーン対象製品カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, スパッタリングターゲット, 気相成長用前駆体, Sputtering target	Y	スパッタリングターゲット		99.9% trace metals basis
GF86282152	Alumina, sputtering target, thickness 3.15 mm, diameter 25.4 mm, purity 99.5% カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, スパッタリングターゲット	Al	スパッタリングターゲット	thickness 3.15mm, diameter 25.4mm	99.5%
GF27598652	Alumina, sputtering target, thickness 5.0 mm, 50 mm diameter, purity 99.5% カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, スパッタリングターゲット	Al	スパッタリングターゲット	thickness 5.0mm, 50mm diameter	99.5%
GF01534924	Alumina, sputtering target, thickness 6.35 mm, 50.8 mm diameter, purity 99.99% カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, スパッタリングターゲット	Al	スパッタリングターゲット	thickness 6.35mm, 50.8mm diameter	99.99%
GF87440159	Alumina, sputtering target, thickness 3.15 mm, diameter 50.8 mm, purity 99.99% カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, スパッタリングターゲット	Al	スパッタリングターゲット	thickness 3.15mm, diameter 50.8mm	99.99%
GF53821515	Alumina, sputtering target, thickness 6.35 mm, 76.2 mm diameter, purity 99.99% カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, スパッタリングターゲット	Al	スパッタリングターゲット	thickness 6.35mm, 76.2mm diameter	99.99%