シグマアルドリッチ構造式カタログ

2024-05-12 12:46 1

「気相成長用前駆体」の検索結果

82件の製品が見つかりました。

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×カテゴリ気相成長用前駆体

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カタログ番号	製品名	元素	形状	純度
767484	Nickel, sputtering target, diam. × thickness 2.00 in. × 0.25 in., 99.95% trace metals basis キャンペーン対象製品カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, スパッタリングターゲット, 気相成長用前駆体, Sputtering target	Ni	スパッタリングターゲット	99.95% trace metals basis
767506	Titanium, sputtering target, diam. × thickness 2.00 in. × 0.25 in., 99.995% trace metals basis キャンペーン対象製品カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, スパッタリングターゲット, 気相成長用前駆体, Sputtering target	Ti	スパッタリングターゲット	99.995% trace metals basis
773972	Yttrium sputtering target, diam. × thickness 2.00 in. × 0.25 in., 99.9% trace metals basis キャンペーン対象製品カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 単結晶基板・ウエハ・ターゲット, スパッタリングターゲット, 気相成長用前駆体, Sputtering target	Y	スパッタリングターゲット	99.9% trace metals basis
759414	Tetraethyl orthosilicate, packaged for use in deposition systems キャンペーン対象製品カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 気相成長用前駆体, Silicon, シランカップリング剤・接着促進剤, その他シラン	Si		>=99.5% (GC)
115894	Triphenylarsine oxide, 97% キャンペーン対象製品カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 気相成長用前駆体, Arsenic	As		97%
687502	Titanium(IV) isopropoxide, packaged for use in deposition systems キャンペーン対象製品カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 気相成長用前駆体, Titanium	Ti		99.999%
725544	Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium(IV), packaged for use in deposition systems キャンペーン対象製品カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 気相成長用前駆体, Hafnium	Hf
648663	Bis(ethylcyclopentadienyl)ruthenium(II) キャンペーン対象製品カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 気相成長用前駆体, Ruthenium	Ru
523771	Tetramethylsilane, electronic grade, ≥99.99% trace metals basis キャンペーン対象製品カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 気相成長用前駆体, Silicon, 電子工業用グレード (Electronic grade)	Si		>=99.99% trace metals basis
366331	Trimethyl(phenyl)tin, 98% キャンペーン対象製品カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 気相成長用前駆体, Tin	Sn		98%
445541	Hafnium(IV) tert-butoxide, 99.99% trace metals basis (purity excludes ~2000 ppm zirconium.) キャンペーン対象製品カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 気相成長用前駆体, Hafnium	Hf		99.99% trace metals basis (purity excludes ~2000 ppm zirconium.)
553131	Tetrakis(ethylmethylamido)zirconium(IV), ≥99.99% trace metals basis キャンペーン対象製品カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 気相成長用前駆体, Zirconium	Zr		>=99.99% trace metals basis
215120	Silicon tetrachloride, 99% キャンペーン対象製品カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 気相成長用前駆体, Precursors by Metal, Silicon	Si		99%
415456	1,2-Dichlorotetramethyldisilane, 95% キャンペーン対象製品カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 気相成長用前駆体, Silicon	Si		95%
521280	Tris(diethylamido)(tert-butylimido)tantalum(V), 99%, ≥99.99% trace metals basis キャンペーン対象製品カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 気相成長用前駆体, Tantalum	Ta		99%
396354	Tetramethylgermanium, 98% キャンペーン対象製品カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 気相成長用前駆体, Germanium	Ge		98%
755737	Tungsten hexacarbonyl, packaged for use in deposition systems キャンペーン対象製品カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 気相成長用前駆体, Tungsten	W		99.9% (trace metals analysis)
N7524	Bis(cyclopentadienyl)nickel(II) キャンペーン対象製品カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 気相成長用前駆体, Nickel	Ni
41572	Dimethyl selenide, ≥99.0% (GC) キャンペーン対象製品カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 気相成長用前駆体, Selenium	Se		>=99.0% (GC)
759562	Tris(dimethylamino)silane, packaged for use in deposition systems カテゴリを見るカテゴリエレクトロニクス材料, 気相成長用前駆体, Silicon	Si		>=99.9% (GC)