シグマアルドリッチ構造式カタログ

2024-05-16 23:28 純度(昇順) 1

「プレハブ電子部品, FETデバイス」の検索結果

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カタログ番号	製品名	化学式	元素	形状	サイズ	純度
FIPMS176	Back-gated OFET Substrate, n-doped silicon wafer with 230 nm SiO2 gate-insulator, chips (diced)			FETデバイス
FIPMS223	Back-gated OFET Interdigitated Substrate, Au source/drain, 90 nm SiO2 gate-insulator, varied W/L from 500 to 4000, 16 transistors per chip, chips (diced)			FETデバイス

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